| 申请日期 | 2025-09-18 | 申请号 | CN201810975101.9 |
| 公开（公告）号 | CN109251747A | 公开（公告）日 | 2019-01-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 昆明理工大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种Eu离子掺杂卤氧化铋半导体光学防伪材料，属于光学防伪材料技术领域。本发明光学防伪材料的化学通式为Bi3‑xEuxO4M；其中x=0.001~0.3，M为元素F、Cl、Br的一种或多种。本发明提供的稀土Eu离子掺杂的卤氧化铋半导材料中的Eu3+发光特征对激发光波长、强度、温度具有超敏感的响应特性，且物理化学性质稳定，制备方法简单、原材料成本低；该材料有望作为高敏感光学防伪材料、紫外探测器，温度传感器器，光伏铁电材料，光机械材料传感材料到应用。 | ||
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