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磁记录介质及其制造方法、和磁记录介质的记录再生方法 发明授权

2023-03-07 1090 2397K 0

专利信息

申请日期 2025-08-02 申请号 CN200510084537.1
公开(公告)号 CN100428334C 公开(公告)日 2008-10-22
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 松下电器产业株式会社
简介 提供一种在盘基板(11)上,至少具备记录层(15),记录层(15)与氢结合,具有与稀土类金属局部存在后稳定的结合状态的构成之磁光记录介质及其制造方法。由此,通过增大记录层(15)的磁各向异性,可形成稳定的膜结构,由此在减小标记长度的情况下,也可使记录磁区稳定,不使再生信号振幅下降,可大幅度提高记录密度。解决了在高密度记录的情况下,具有难以稳定形成微小记录磁区的课题。


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