| 申请日期 | 2025-07-07 | 申请号 | CN200410101884.6 |
| 公开（公告）号 | CN100424222C | 公开（公告）日 | 2008-10-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | ||
| 简介 | 本发明提供一种制备二元稀土化合物薄膜材料的方法。利用低能双离子束沉积设备的质量分离功能与荷能离子沉积特点，以纯度要求不高的稀土氯化物作为I束伯纳斯型固体离子源的原材料，产生一束同位素纯低能稀土元素离子，并与II束伯纳斯型气体离子源产生的与之化合的另一同位素纯低能离子在超高真空生长室内交替沉积生长，通过准确控制参与生长的同位素纯低能离子的能量、束斑形状、束流剂量和配比及生长温度，实现了难提纯、高熔点、易氧化及难化合的二元稀土化合物薄膜的高纯、高效优质生长及低温外延。本发明可制备的稀土薄膜材料范围广，且生长工艺便于调控和优化，是一种制备半导体技术领域或其他领域应用的稀土薄膜材料的经济实用方法。 | ||
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