| 申请日期 | 2025-08-15 | 申请号 | CN200810036885.5 |
| 公开（公告）号 | CN101281951A | 公开（公告）日 | 2008-10-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | ||
| 简介 | 本发明涉及用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料及方法，其特征在于所述的薄膜材料以单晶硅为衬底组成的材料，通式为Re1－xCexMnO3，式中0＜x＜1，Re为稀土离子中的任一种；材料的高低电阻态之间的电阻值相差5～6数量级。本发明提供了相应的薄膜材料制作方法，并对薄膜材料的EPIR效应进行了测定。 | ||
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