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氟化物涂敷膜形成处理液和氟化物涂敷膜的形成方法 发明申请

2023-09-27 2460 4852K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN200810008924.0
公开(公告)号 CN101276666A 公开(公告)日 2008-10-01
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 日立化成工业株式会社
简介 本发明涉及磁性体上的氟化物涂敷膜形成处理液及氟化物涂敷膜形成的方法。以往的在磁体上形成绝缘膜的技术因涂布膜不均匀、热处理工序的长时间化、高温化等的原因存在难以谋求磁特性充分提高的问题。为了解决上述问题,本发明采用了由以醇作为主成分的溶剂和分散在上述溶剂中的稀土类或者碱土类金属的氟化物构成、用X射线衍射检测的峰的至少1个具有比1度大的半值宽度的处理液。另外,采用了使用该处理液的绝缘处理方法。


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