| 申请日期 | 2025-07-16 | 申请号 | TW097102160 |
| 公开（公告）号 | TW200837799A | 公开（公告）日 | 2008-09-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 三星SDI股份有限公司 | ||
| 简介 | 一种用来制备PDP之保护层的材料, 其可缩短放电的延迟时间, 改善对温度的相关性, 并具有提高的离子强度; 一种用来制备该材料的方法; 一种由该材料所形成的保护层; 一种包含该保护层的PDP。更详细地说, 一种用於保护层的材料, 其含有单晶态的氧化镁, 并且掺杂着稀土元素, 稀土元素的含量是每一重量单位的氧化镁(MgO)具有2.0?10^-5-1.0?10^-2个重量单位; 一种用来制备该单晶态氧化镁的方法, 是在约2, 800℃加以结晶; 一种由该材料所形成的保护层; 一种包含该保护层的PDP。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
