| 申请日期 | 2025-08-07 | 申请号 | CN201811089232.3 |
| 公开（公告）号 | CN109243994A | 公开（公告）日 | 2019-01-18 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种高k薄膜MOS结构及其制备和检测方法，所述MOS结构包括高k栅介质薄膜，所述薄膜由稀土靶材和钛靶材在含氧气体中溅射在衬底上得到。所述MOS结构的制备方法包括：清洗衬底，对靶材进行预处理；通入含氧气体，在衬底上溅射得到高k栅介质薄膜；在所述高k栅介质薄膜和衬底上溅射电极，得到所述MOS结构；对制备得到的MOS结构进行退火处理。所述检测方法是将高k栅介质薄膜溅射到石英衬底上，采集光谱进行禁带宽度检测。本发明所述制备方法简单，易于实现，制得的MOS结构具备优良的电学和光学性能；检测方法直观、操作方便。 | ||
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