| 申请日期 | 2025-07-27 | 申请号 | CN200810088246.3 |
| 公开（公告）号 | CN101255510A | 公开（公告）日 | 2008-09-03 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 晶能光电(江西)有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种高强高导含铬铜合金及其制备方法。所述铜合金含有0.35wt％～0.9wt％的Cr3C2。铜合金中还可以包括一定量的Zr和稀土。该合金的制备方法主要为母合金熔炼工艺，还可以进一步包括喷铸法制备Cu－Cr3C2－Zr－稀土合金工艺和合金喷铸后的处理工艺，来制备符合超大规模集成电路引线框架材料的合金。本发明可以实现铜合金的硬度和导电率关系配合良好，同时硬度和电导率可以体现较高的温度稳定性，其具有较高的电学性能和硬度，其综合性能已经达到超大规模集成电路引线框架材料理想的主要性能指标。本发明拓展了高强高导铜基材料强化相的选取方向和提供了更完善和优良的制备工艺。 | ||
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