| 申请日期 | 2025-07-14 | 申请号 | CN200710171689.4 |
| 公开（公告）号 | CN101255602A | 公开（公告）日 | 2008-09-03 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | ||
| 简介 | 本发明涉及磁光稀土铁酸盐晶体无坩埚生长方法，属于单晶生长领域。其特征是以氧化物为原料按照比例经过预烧、等静压成型和高温烧结得到原料棒，再将料棒置于无坩埚晶体生长炉中，在空气气氛中进行生长。本发明的特点在于，采用无坩埚技术生长RFeO3晶体，并且不需要任何助熔剂，最大程度地减少了生长过程中助熔剂和坩埚对晶体的污染，可大大减少磁光晶体中的杂质缺陷，提高了晶体质量。 | ||
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