申请日期 | 2025-07-10 | 申请号 | CN200810080658.2 |
公开(公告)号 | CN101256922A | 公开(公告)日 | 2008-09-03 |
公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
申请人 | 三星SDI株式会社 | ||
简介 | 用于制备PDP保护层的材料,其减少放电延迟时间、改进温度依赖性以及具有增强的离子强度;制备该材料的方法;由该材料形成的保护层;和包括该保护层的PDP。更具体地,包括以2.0×10-5-1.0×10-2重量份/1重量份氧化镁(MgO)的量的掺杂有稀土元素的单晶氧化镁的用于保护层的材料,通过在约2, 800℃下使其结晶制备该单晶氧化镁的方法,由该材料形成的保护层,以及包括该保护层的PDP。 |
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