| 申请日期 | 2025-07-10 | 申请号 | CN200810080658.2 |
| 公开（公告）号 | CN101256922A | 公开（公告）日 | 2008-09-03 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 三星SDI株式会社 | ||
| 简介 | 用于制备PDP保护层的材料，其减少放电延迟时间、改进温度依赖性以及具有增强的离子强度；制备该材料的方法；由该材料形成的保护层；和包括该保护层的PDP。更具体地，包括以2.0×10－5－1.0×10－2重量份/1重量份氧化镁(MgO)的量的掺杂有稀土元素的单晶氧化镁的用于保护层的材料，通过在约2, 800℃下使其结晶制备该单晶氧化镁的方法，由该材料形成的保护层，以及包括该保护层的PDP。 | ||
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