客服热线:18202992950

用于半导体工业的氢化物气体纯化方法 发明授权

2023-12-09 3680 1331K 0

专利信息

申请日期 2025-08-22 申请号 CN200480021274.3
公开(公告)号 CN100493677C 公开(公告)日 2009-06-03
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 安格斯公司
简介 本发明公开了一种纯化(purification)氢化物气体的方法,其使用 至少具有一种镧系金属或镧系金属氧化物的材料。该方法使污染物降 低至100ppb,优选10ppb,更优选1ppb。所述材料还包括过渡金属 和过渡金属氧化物、稀土元素和其它金属氧化物。本发明还包括在本 发明方法中使用的材料。


您还没有登录,请登录后查看下载地址


反对 0举报 0 收藏 0 打赏 0评论 0
下载排行
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  京ICP备2021025988号-4