| 申请日期 | 2025-06-24 | 申请号 | TW097133152 |
| 公开（公告）号 | TW200921726A | 公开（公告）日 | 2009-05-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 京瓷股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供一种介电陶瓷及积层陶瓷电容器, 上述介电陶瓷系高介电常数且介电损失小, 介电常数之温度变化满足EIA标准之X7R特性, 且即便於所施加之电压较低之情况, 亦获得高绝缘电阻, 上述积层陶瓷电容器系具备此种介电陶瓷作为介电层, 且於高温负载试验中之寿命特性优异。上述介电陶瓷系以钛酸钡作为主成分, 且含有既定量之钒、镁、锰以及稀土类元素, 表示正方晶系钛酸钡之(004)面之绕射强度大於表示立方晶系钛酸钡之(004)面之绕射强度, 晶粒为由钙浓度为0.2原子%以下之晶粒与钙浓度为0.4原子%以上之晶粒所构成, 钙浓度为0.4原子%以上之晶粒的面积比为0.4-0.7, 晶粒之平均粒径为0.21-0.28??m。 | ||
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