| 申请日期 | 2026-03-08 | 申请号 | CN200810147887.1 |
| 公开（公告）号 | CN101431136A | 公开（公告）日 | 2009-05-13 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 电子科技大学 | ||
| 简介 | 硅基近红外发光薄膜材料的制备方法，属于半导体光电子材料技术领域， 特别涉及半导体硅基发光薄膜材料的制备方法。硅基近红外发光薄膜材料是在 硅基片上利用三氧化二硼、三氧化二铝、三氧化二镓、三氧化二铟、磷的氧化 物、砷的氧化物、锑的氧化物、铋的氧化物这8种材料中的一种或多种、二氧 化硅以及可发近红外光的稀土离子混合的基础上，掺入具有高还原性的单质铝 原子。接着经过一个非氧化气氛下的高温退火过程，利用单质铝原子的高还原 性，使整个薄膜材料体系欠氧而生成与氧空位相关的缺陷发光中心。氧空位缺 陷发光中心是掺杂的稀土离子近红外发光的高效敏化剂。这种硅基近红外发光 薄膜材料可应用于硅基光电集成。 | ||
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