| 申请日期 | 2025-09-16 | 申请号 | CN201810973243.1 |
| 公开（公告）号 | CN109081373A | 公开（公告）日 | 2018-12-25 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 昆明理工大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种固相剥离制备高分散稀土离子掺杂氯氧化铋二维纳米片的方法，属于半导体材料技术领域。本发明在固相合成法制备B3O4Cl二维半导体材料中，加入稀土离子和Li+离子作为共同固相剥离剂；其中，稀土离子为稀土Er3+离子和/或Lu3+离子，稀土离子与B3O4Cl中Bi3+的摩尔比为1 : (10~1000)，Li+离子与B3O4Cl中Bi3+的摩尔比为1 : (4~100)；稀土Er3+离子、稀土Lu3+离子的加入形式为稀土氧化物、稀土硝酸盐、稀土氯化物、稀土氟化物或稀土溴化物；Li+离子的加入形式为碳酸锂，硝酸锂，氯化锂或氟化锂。本发明的固相剥离制备Bi3O4Cl纳米片的方法简单易行、原材料成本低；高分散稀土离子掺杂氯氧化铋二维纳米片可作为光催化材料、传感器材料等。 | ||
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