| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN200780013293.5 |
| 公开（公告）号 | CN101426744A | 公开（公告）日 | 2009-05-06 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司; 信越石英株式会社 | ||
| 简介 | 本发明始于用于半导体制造的已知石英玻璃元件，该元件至少在近 表面区具有第一掺杂剂和第二氧化掺杂剂的共掺杂，所述第二掺杂剂含 一种或多种浓度各为0.1～3wt％的稀土金属(以SiO2和掺杂剂的总质量 为基准计算)。由此开始，为了提供用于在腐蚀作用环境中半导体制造的 以高纯度和高耐干腐蚀著称并避免了由用氧化铝共掺杂所造成的已知 缺点的石英玻璃元件，按照本发明建议：第一掺杂剂应是氮以及石英玻 璃内亚稳定羟基的平均含量应小于30wtppm。 | ||
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