| 申请日期 | 2025-07-28 | 申请号 | US12258850 |
| 公开（公告）号 | US20090108414A1 | 公开（公告）日 | 2009-04-30 |
| 公开国别 | US | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | Toshihiko TSUKATANI; Takao MAEDA; Junichi NAKAYAMA; Hirofumi KAWAZOE; Masaru KONYA; Noriaki HAMAYA; Hajime NAKANO | ||
| 简介 | A wafer has a rare earth oxide layer disposed, typically sprayed, on a substrate. It is useful as a dummy wafer in a plasma etching or deposition system. | ||
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