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单晶硅片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法 发明授权

2023-09-26 4720 490K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 CN200710037045.6
公开(公告)号 CN100479931C 公开(公告)日 2009-04-22
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海交通大学
简介 本发明涉及一种单晶硅片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方 法,首先将单晶硅片浸泡在王水中,经加热、自然冷却处理后取出,用去离子 水反复冲洗后干燥,再浸入配制好的氨基硅烷溶液中,在基片表面组装氨基硅 烷薄膜,然后再置入含有三氯氧化磷和2,3,5-三甲基吡啶的氰化甲烷溶液中, 在薄膜表面组装上磷酸基团,再将基片置入经稀土改性后的碳纳米管悬浮液, 在30~90℃静置2~24小时,取出用大量去离子水冲洗,冲洗后用氮气吹干, 这样就得到表面沉积有改性碳纳米管复合薄膜的单晶硅片。本发明工艺简单, 成本低,对环境无污染,制得的碳纳米管复合薄膜具有十分明显的减摩作用, 具有良好的抗磨损性能。


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