| 申请日期 | 2025-07-15 | 申请号 | CN200710134577.1 |
| 公开（公告）号 | CN100481547C | 公开（公告）日 | 2009-04-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 南京大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种提高发光效率的稀土掺杂二氧化硅薄膜制备方 法，属于光电子器件材料技术领域。该方法的步骤为配制前驱体溶胶 溶液、在衬底上形成湿膜、热分解湿膜、在衬底上制备薄膜、高温退 火。实验证明，采用本发明的方法可以使稀土离子的发光产生数量级 的增强，可以与半导体工业相兼容，具有操作方便、快捷、成本低廉、 制备条件温和、工艺重复性好、效果明显等优点，完全可以应用于未 来的硅基光电子领域。 | ||
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