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基于温度梯度法的稀土倍半氧化物晶体的生长装置及方法 发明申请

2023-11-21 4630 433K 0

专利信息

申请日期 2026-04-23 申请号 CN201810902235.8
公开(公告)号 CN109082707A 公开(公告)日 2018-12-25
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 同济大学
简介 本发明涉及一种基于温度梯度法的稀土倍半氧化物晶体的生长装置,包括石英筒(1)、感应加热线圈(2)、氧化锆上保温层(3)、氧化锆保温筒(4)、氧化锆保温层(5)、籽晶保护层(6)和坩埚(7),所述的感应加热线圈(2)缠绕在石英筒(1)外侧壁上,所述的氧化锆上保温层(3)设置在氧化锆保温筒(4)上方,并与其一起置于石英筒(1)内,所述的坩埚(7)置于氧化锆保温筒(4)内,并在坩埚(7)与氧化锆保温筒(4)之间设置氧化锆保温层(5),氧化锆保温层(5)底部设置氧化锆底座(10)。与现有技术相比,本发明可用于生长英寸级的倍半氧化物晶体,并具有延长坩埚使用寿命,降低长晶成本等优点。


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