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填充方钴矿基合金、其形成方法及利用其的热电转换器件 发明授权

2022-12-24 4790 858K 0

专利信息

申请日期 2025-06-29 申请号 CN03823174.3
公开(公告)号 CN100477309C 公开(公告)日 2009-04-08
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 昭和电工株式会社
简介 一种用于形成填充的方钴矿基合金的方法,所述方法包括以下步骤: 在800~1800℃的温度下熔化合金原料以使其形成熔融物,所述原料包括至 少是La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu及Yb中的一种物质的稀土金属R、至少 是Fe、Co、Ni、Os、Ru、Pd、Pt及Ag中的一种物质的过渡金属T、以 及金属锑Sb;以及通过条铸法以102~104℃/秒的冷却速度对所述熔融物快 速淬火,从而形成固化产物,所述固化产物是有利于用来制造热电元件的 填充的方钴矿基合金,所述冷却速度在不低于800℃的所述熔融物的温度 的范围内测得。


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