| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN200780009814.X |
| 公开（公告）号 | CN101405874A | 公开（公告）日 | 2009-04-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 艾恩德霍芬科技大学 | ||
| 简介 | 用于将电磁辐射能转换成电能的设备(10)，包括至少一个具有 辐射敏感表面的光电元件(11)，其中包括加入稀土元素的硅化合物 的材料的覆盖层(12)出现在所述辐射敏感表面上，其特征在于该覆 盖层的该材料包括硅和氮的化合物。采用诸如Sr2Si5N8 : Eu的化合物得 到了良好的结果。 | ||
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