| 申请日期 | 2025-07-09 | 申请号 | CN201810898536.8 |
| 公开（公告）号 | CN109087767A | 公开（公告）日 | 2018-12-25 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及钕铁硼磁体领域，尤其涉及一种晶界原位扩散纳米级扩散物的钕铁硼磁体及其制备方法，所述磁体在钕铁硼磁体的晶界处掺杂有纳米级的扩散物，纳米级扩散物为纳米RE100‑xMx粉体，其中RE为稀土元素，M为金属元素，成分比例100‑x：x为原子比，扩散物的晶粒尺寸为10～100nm，扩散物在晶界处掺杂并原位扩散。整体磁体具有更加优秀的磁性能。并且在掺杂和原位扩散的作用下，能够对磁体的耐热性能、机械性能以及耐化学性能形成多方面的强化。 | ||
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