半导体装置上生成介电材质方法及半导体装置发明授权

2023-01-09 2070 1893K 0

申请日期	2026-04-28	申请号	TW094147323
公开（公告）号	TWI289893B	公开（公告）日	2007-11-11
公开国别	TW	申请人省市代码	全国
申请人	英飞凌科技股份有限公司
简介	在一半导体装置上用於产生介电材质的方法，其具有一原子层沈积步骤，藉此沈积含有土金属元素组成的氧氮化铝或氧氮化矽或氧氮化铝矽。本发明描述一种具有介电层的半导体装置，其包括含有稀土金属元素的氧氮化铝或氧氮化矽或氧氮化铝矽。

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