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多元复合稀土钨电子发射体的烧结方法 发明申请

2023-05-20 1840 842K 0

专利信息

申请日期 2025-07-09 申请号 CN200710099087.2
公开(公告)号 CN101049633A 公开(公告)日 2007-10-10
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 北京工业大学; 北京钨钼材料厂
简介 多元复合稀土钨电子发射体的烧结方法,属于稀土难熔金属材料技术领域,针对目前多元复合稀土钨电子发射体加工性能差的技术难题,改变传统提高烧结电流,追求高烧结坯条密度以追求高成品率的技术思想,通过适当降低烧结电流,将烧结坯条密度控制在17.0-17.8g/cm3,烧结后得到的多元复合稀土钨坯条组织均匀,钨晶粒为等轴晶,稀土第二相均匀分布在晶界处,这种低密度的均匀组织在后续加工过程中能够协调形变,成品率在75%以上。较传统烧结工艺制备出的坯条成品率提高20%左右。


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