| 申请日期 | 2025-06-29 | 申请号 | CN201780026757.X |
| 公开（公告）号 | CN109072432A | 公开（公告）日 | 2018-12-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | BENEQ有限公司 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种用于在基底(2)的表面上制造抗等离子体蚀刻膜(1)的方法，其中所述方法包括形成膜的步骤，所述膜包含在稀土金属氧化物第一层(3)上的稀土金属氧化物、稀土金属碳酸盐或稀土金属氧碳酸盐或其任何混合物的中间层(4)，其中稀土金属在第一层和中间层中是相同的。本发明进一步涉及一种抗等离子体蚀刻膜及其用途。 | ||
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