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Top-emitting White Light Emitting Devices Using Nano-structures of Rare-earth Doped Transparent Cond 发明授权

2023-01-04 4700 350K 0

专利信息

申请日期 2025-07-10 申请号 KR1020050074593
公开(公告)号 KR100750933B1 公开(公告)日 2007-08-14
公开国别 KR 申请人省市代码 全国
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
简介 A light emitting device includes an n-type cladding layer. a p-type cladding layer. an active layer interposed between the n-type cladding layer and the p-type cladding layer and an ohmic contact layer contacting the p-type cladding layer or the n-type cladding layer. The ohmic contact layer includes a first film that includes a transparent conductive zinc oxide doped with a rare earth metal and including a one-dimensional nano structure. The one-dimensional nano structure is one of a nano-column, a nano rod and a nano wire.


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