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掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法 发明授权

2023-11-25 1070 307K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 CN200410053302.1
公开(公告)号 CN1330799C 公开(公告)日 2007-08-08
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院上海光学精密机械研究所
简介 一种掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法,该晶体结构表示为AeWO4 : Re,F,该晶体的生长方法包括下列步骤:①初始原料的配方;②按选定比例称取的原料,充分混合均匀后压制成块,放入铱或铂金坩埚内,采用相应的AeWO4晶体作籽晶,生长气氛为高纯氩气(Ar)或氮气(N2),采用熔体法生长晶体生长方法。本发明采用F-离子补偿三价稀土离子掺入碱土金属钨酸盐AeWO4(Ae=Ca,Sr,Ba)晶体中引起的电荷不平衡,形成同时含有氟氧两种阴离子的激光晶体[AeWO4 : Re,F],实验证明激光输出效率可以提高10~200%。


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