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介电陶瓷、制备介电陶瓷的方法和单片陶瓷电容器 发明申请

2022-12-30 4020 1288K 0

专利信息

申请日期 2025-06-24 申请号 CN200680000624.7
公开(公告)号 CN101006028A 公开(公告)日 2007-07-25
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 株式会社村田制作所
简介 本发明提供具有不低于5, 500的高介电常数并且具有良好的介电常数温度特性的介电陶瓷,并且提供静电电容温度特性满足X5R特性的小的高电容单片陶瓷电容器。所述介电陶瓷具有包含BaTiO3系或(Ba,Ca)TiO3系主要组分和包含稀土元素和Cu的附加组分的组成,并且具有由晶粒(21)和占据在晶粒(21)之间的晶粒间界(22)构成的结构。晶粒间界(22)中的稀土元素平均浓度与晶粒(21)内部稀土元素的平均浓度的摩尔比小于2,并且在介电陶瓷的横截面中,在第一晶粒(21A)的不低于90%的区域中存在稀土元素,其数量为晶粒(21)的55%至85%,并且在第二晶粒(21B)的小于10%的区域中存在稀土元素,其数量为晶粒(21)的15%至45%。


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