| 申请日期 | 2025-07-16 | 申请号 | CN200610146589.1 |
| 公开（公告）号 | CN1992273A | 公开（公告）日 | 2007-07-04 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | ||
| 简介 | 提供了一种互补金属氧化物半导体(CMOS)结构，其包括位于半导体衬底的表面上的至少一个nFET器件区和至少一个pFET器件区。根据本发明，所述nFET和pFET均包括至少单一栅极金属，且所述nFET栅极叠层被设计为具有没有净负电荷的栅极电介质叠层，而所述pFET栅极叠层被设计为具有没有净正电荷的栅极电介质叠层。具体地说，本发明提供一种CMOS结构，其中nFET栅极叠层被设计为包括带边功函数，而pFET栅极叠层被设计为具有1/4间隙功函数。在本发明的一个实施例中，所述第一栅极电介质叠层包括第一高k电介质和包含碱土金属的层或包含稀土金属的层，而所述第二高k栅极电介质叠层包括第二高k电介质。 | ||
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