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R-T-B-C稀土烧结磁体及制造方法 发明申请

2023-02-08 1480 1201K 0

专利信息

申请日期 2026-03-08 申请号 CN200610163621.7
公开(公告)号 CN1983471A 公开(公告)日 2007-06-20
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 信越化学工业株式会社
简介 通过混合具有R氟化物的R-T-B-C磁体基体合金与富R的R-T-B-C烧结助剂合金、接着粉碎、成型和烧结获得了R-T-B-C稀土烧结磁体(R=Ce、Pr、Nd、Tb或Dy;T=Fe)。烧结的结构由R2T14B型晶体主相和晶界相组成。晶界相基本上由40-98体积%的R-O1-x-F1+2x和/或R-Fy、1-50体积%的R-O、R-O-C和R-C化合物相、0.05-10体积%的R-T相,0.05-20体积%的富B相或者M-B2相(M=Ti、V、Cr、Zr、Nb、Mo、Hf、Ta或W)以及余量的富R相组成。


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