| 申请日期 | 2025-06-25 | 申请号 | CN200580008191.5 |
| 公开（公告）号 | CN1985418A | 公开（公告）日 | 2007-06-20 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 汤寅生 | ||
| 简介 | 公开了一种集成器件，其包含基板和与该基板集成的稀土掺杂半导体层(REDS层)。该REDS层被图形化以定义一个或多个光学放大结构，各个光学放大结构具有用于接收或输出第一光学信号的第一I/O端口，并具有用于接收形式为电泵浦能量和/或光泵浦能量中至少一种的泵浦能量的至少一个泵浦能量接收端口。在具体一组实施方案中，至少一个光放大结构为拉曼型放大器，其中相应的泵浦能量接收端口被构造成用于接收拉曼型泵浦能量，该拉曼型泵浦能量的有效频率比在相应I/O端口供给的光学信号的信号频率高约一个光学声子频率。还公开了制造REDS层的方法，包括在绝缘体上半导体(SOI)结构中提供这种层，以及用于增大掺入稀土原子的有效的长时间浓度的方法。此外，公开了非平行泵浦技术。 | ||
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