| 申请日期 | 2025-06-28 | 申请号 | TW094141332 |
| 公开（公告）号 | TW200720499A | 公开（公告）日 | 2007-06-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 国立清华大学 | ||
| 简介 | 本发明提供一种形成金氧半电晶体元件用之基板的制作方法, 包含下列步骤 : (A)在一压力为1?10^-6Torr以下之减压环境中提供一完成表面重建之基底及一固态金属氧化物源, 其中, 该固态金属氧化物源是选自於下列所构成之群组 : 氧化铪、氧化铝、氧化钪、氧化钇、氧化钛、氧化镓钆及稀土族金属氧化物; 及(B)气化该固态金属氧化物源, 致使该固态金属氧化物源呈相互键结的金属氧化物分子束, 并在一低於该固态金属氧化物源之再结晶温度的工作温度下, 於该基底上沉积一呈非晶态的第一金属氧化物膜, 进而制得一形成金氧半电晶体元件用之基板。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
