| 申请日期 | 2026-04-23 | 申请号 | CN200610117888.2 |
| 公开（公告）号 | CN1970848A | 公开（公告）日 | 2007-05-30 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海交通大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种稀土钡铜氧薄膜作籽晶同质外 延生长超导块体材料的方法，通过冷籽晶法生长高温超导 REBCO，采用沉积在单晶基板上的REBCO薄膜作种膜，该薄 膜材料在单晶氧化镁基板上的熔化温度比同种REBCO材料的 粉末或块材高10K以上且能够保持长时间不熔化。按照 REBCO和适量添加RE211来进行组分配料，研磨煅烧多次后， 压制成前驱体片并在其顶部放上相应的REBCO薄膜作籽晶， 通过熔融织构获得REBCO块体材料。本发明工艺简单，能够 在无杂质且晶格完全匹配的情况下生长取向性好并具有大单 畴结构的高温超导REBCO块体材料。 | ||
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