| 申请日期 | 2025-06-29 | 申请号 | CN201811121639.X |
| 公开（公告）号 | CN109023251A | 公开（公告）日 | 2018-12-18 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国计量大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种稀土铒掺杂二维层状二硫化钨薄膜材料的制备方法，包括以下步骤：首先清洗衬底，通过磁控溅射高纯金属靶材制备铒钨的合金薄膜；接着将硫粉置于一温区，沉积有合金薄膜放置于二温区，将真空管式炉炉内抽真空，向真空管式炉通载气进行清洗；然后继续通气，一温区加热到120~200 oC，二温区加热到700~900 oC，生长十分钟以上；最后将一温区和二温区温度降至室温，得到铒掺杂二维层状二硫化钨薄膜。本发明调节溅射功率和时间，可以得到不同厚度、形貌和掺杂浓度的二维薄膜。本发明可以制得晶圆级、形貌均匀的二维晶体薄膜，光电性能优良，可以用于制备原子级超薄的光电子器件，用于发光器件、光电探测器等领域。 | ||
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