| 申请日期 | 2025-07-22 | 申请号 | CN200610125202.4 |
| 公开（公告）号 | CN1962932A | 公开（公告）日 | 2007-05-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 武汉大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种用于制备稀土掺杂氮化镓发光 薄膜的方法，控制衬底的温度在0～500℃范围内，以氮气或氮 气和氩气的混合气体作为溅射气体，真空条件下，对掺杂有稀 土粉末的金属镓进行磁控溅射，使设在靶位处的衬底沉积上稀 土掺杂的氮化镓发光薄膜。本发明还提供了一种制备稀土掺杂 氮化镓发光薄膜的磁控溅射装置，包括真空室，真空室内设有 可旋转的衬底架和3～5个磁控靶，衬底架上装设有衬底，衬 底设在磁控靶上方且使衬底面与磁控靶面平行，每个磁控靶分 别接直流电源阴极；磁控靶内设有冷却室，冷却室设有冷却介 质进口和出口。本发明具有沉积温度低、成膜面积大、膜－基 附着力强、生长速率高、无污染、掺杂工艺简单和无损伤等特 点。 | ||
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