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Aluminum nitride ceramic, semiconductor manufacturing member, and manufacturing method for aluminu 发明授权

2023-09-01 3420 2004K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 US11153921
公开(公告)号 US7211216B2 公开(公告)日 2007-05-01
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 Yoshimasa Kobayashi; Naohito Yamada; Toru Hayase
简介 An aluminum nitride ceramic including aluminum nitride grains and grain boundary phases comprises a grain boundary phase-rich layer including more amount of the grain boundary phases in a surface layer of the aluminum nitride ceramic than in an inside of the aluminum nitride ceramic. The grain boundary phases in the grain boundary phase-rich layer include at least one of rare earth element and alkali earth element.


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