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R-Fe-B系薄膜磁铁及其制造方法 发明申请

2023-10-03 3330 897K 0

专利信息

申请日期 2025-07-12 申请号 CN200580008928.3
公开(公告)号 CN1954395A 公开(公告)日 2007-04-25
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 独立行政法人科学技术振兴机构; 株式会社新王磁材; 并木精密宝石株式会社
简介 本发明提供了一种R-Fe-B系薄膜磁铁,在物 理成膜的含有28-45质量%的R元素(其中,R是镧系稀土元 素中的1种或2种以上)的R-Fe-B系合金中,具有晶粒直径 0.5-30μm的 R2Fe14B晶体和在该晶体边界处富集R元素的晶界相的复合组 织。该薄膜磁铁的磁化性提高。在物理成膜过程中和/或随后的 热处理中,通过加热至700-1200℃,进行晶粒生长和形成富 集R元素的晶界相,由此,可以制造上述R-Fe-B系薄膜磁 铁。


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