| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN02138727.3 |
| 公开（公告）号 | CN1305033C | 公开（公告）日 | 2007-03-14 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华中科技大学 | ||
| 简介 | 一种可用于高密度垂直磁记录的非晶垂直磁化膜，包括底层和磁性层，磁性层为：轻稀土元素7.28％-17.85％；重稀土元素：18.15％-28.72％；过渡金属：54％-69％；底层材料为Cr、Ti、Mo或W。上述磁性层上可设有防止磁性层氧化的顶层，其材料为SiO2、SiN、AlNSi或AlN。采用X射线衍射测量装置分析SiO2/SmTbCo/Cr/glass sub垂直磁化膜的样品结构时，没有发现稀土与过渡族元素(SmTbCo)的结晶相，表明该类膜是非晶膜。通过对样品的磁性能、磁光特性、磁各向异性常数和样品的组分的检测与分析，可知该膜具有较高的磁各向异性，Ku值高于4.5×106erg/cm3，这种膜具有的良好的热稳定性。由于有较大的磁滞回线矩形度，又是非晶膜，其热噪声很低。 | ||
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