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介电陶瓷及其制造方法和叠层陶瓷电容器 发明授权

2023-03-01 4910 1786K 0

专利信息

申请日期 2025-06-25 申请号 CN200310118632.X
公开(公告)号 CN1301517C 公开(公告)日 2007-02-21
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 株式会社村田制作所
简介 提供一种介电陶瓷,它适于构成在还原性气氛中烧成而得到的叠层陶瓷电容器中介电陶瓷层的介电陶瓷,即使将其薄层化介电常数的温度依存性也不随着薄层化程度而恶化,而且可靠性优良。本发明的介电陶瓷,是以ABO3(A是Ba等,B是Ti等。)作为主要成分并含有稀土元素的一种介电陶瓷,就构成其70%以上的晶粒21而言,观察其断面时,5~70%的截面积,由稀土元素固溶的稀土元素固溶区域所占据,10~80%的断面外周,由稀土元素未固溶的稀土元素非固溶区域所占据。


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