客服热线:18202992950

Growing [110] silicon on [001] oriented substrate with rare-earth oxide buffer film 发明申请

2023-01-25 3440 666K 0

专利信息

申请日期 2025-06-28 申请号 US11582048
公开(公告)号 US20070037329A1 公开(公告)日 2007-02-15
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 KELMAN MAXIM B
简介 An assembly and method of making the same wherein the assembly incorporates a rare-earth oxide film to form a [110] crystal lattice orientation semiconductor film. The assembly comprises a substrate, a rare-earth oxide film formed on the substrate, and a [110]-oriented semiconductor film formed on the rare-earth oxide film. The rare-earth oxide film having a [110] crystal lattice orientation. The substrate has a [001] crystal lattice orientation.


您还没有登录,请登录后查看下载地址


反对 0举报 0 收藏 0 打赏 0评论 0
下载排行
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  京ICP备2021025988号-4