| 申请日期 | 2025-08-06 | 申请号 | CN200580003381.8 |
| 公开（公告）号 | CN1914733A | 公开（公告）日 | 2007-02-14 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | ||
| 简介 | 本发明提供一种即使在还原气氛下进行热处理 时，电阻变化能力的降低也被抑制的变电阻元件和使用其的非 易失性存储器。具体地说，本发明提供的非易失性存储器(1) 由具有以化学式RMCoO3 (其 中：R代表稀土类元素、M代表碱土类元素)表示的钙钛矿结 构的氧化物半导体构成的材料层，和与所述材料层电连接的作 为两个电极的第一电极和第二电极构成，同时，(2)具有变电阻 元件晶体管，所述变电阻元件与晶体管电连接。 | ||
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