| 申请日期 | 2025-07-06 | 申请号 | CN200510077057.2 |
| 公开（公告）号 | CN1881646A | 公开（公告）日 | 2006-12-20 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了顶出光电极及其制备方法。本发明 所提供的顶出光电极，包括衬底和位于衬底上的有机发光层， 其中，有机发光层上设有稀土元素与Au或Ag的浓度梯度层， 所述浓度梯度层中从内层到外层所述稀土元素质量浓度为100 ％至0％。本发明采用普通的真空蒸镀方法(10 －5托)在电极上蒸镀一低功稀土金属与贵金属 的浓度梯度层，并结合增透层作为顶出光电极的上电极材料， 可以兼顾透光率、稳定性和低成本等要素，方法简单实用，与 采用Al/Ag或Al/Au作顶电极的器件相比，本发明电极发光效 率提高6－8倍。本发明的顶出光电极可以广泛应用于无机薄 膜和半导体发光，以及光电器件和光探测器等方面。 | ||
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