| 申请日期 | 2025-08-19 | 申请号 | CN201810771587.4 |
| 公开（公告）号 | CN108987016A | 公开（公告）日 | 2018-12-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及磁体制备领域，尤其涉及一种高效利用高丰度稀土元素的纳米晶钕铁硼磁体的制备工艺，其步骤主要包括：1)熔炼成分均匀的母合金；2)破碎母合金并通过甩带工艺制备带材，再次破碎成添加物粉末；3)将添加物粉末与MQ粉末混合制备各向同性磁体；4)热压制备纳米晶钕铁硼磁体。其通过有效利用La、Ce和Y等高丰度稀土元素，制备出类似La/Ce基化合物等高丰度稀土元素基化合物，同时使其在基体材料中进行原位扩散对钕铁硼磁体的永磁性能进行大幅度强化提高。 | ||
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