客服热线:18202992950

Purification of hydride gases for semiconductor industry 发明申请

2023-10-26 1370 172K 0

专利信息

申请日期 2025-07-15 申请号 JP2006521217
公开(公告)号 JP2006528127A 公开(公告)日 2006-12-14
公开国别 JP 申请人省市代码 全国
申请人 Entegris Incorporated506022865
简介 A method for hydride gas purification uses materials having at least one lanthanide metal or lanthanide metal oxide. The method reduces contaminants to less than 100 parts per billion (ppb), preferably 10 ppb, more preferably 1 ppb. The material can also include transition metals and transition metal oxides, rare earth elements and other metal oxides. The invention also includes materials for use in the method of the invention.


您还没有登录,请登录后查看下载地址


反对 0举报 0 收藏 0 打赏 0评论 0
下载排行
网站首页  |  关于我们  |  联系方式  |  使用协议  |  版权隐私  |  网站地图  |  排名推广  |  广告服务  |  积分换礼  |  网站留言  |  RSS订阅  |  违规举报  |  京ICP备2021025988号-4