| 申请日期 | 2026-04-26 | 申请号 | CN200610036399.4 |
| 公开（公告）号 | CN1876754A | 公开（公告）日 | 2006-12-13 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中山大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及白光二极管领域，公开了一种发 400nm左右蓝紫光InGaN芯片用稀土红色发光材料及其制备 方法。本发明的稀土红色发光荧光粉的化学组成为： MI5MIII1－x－ y [MVIO4] 4 : xEu3+， yRIII。 MI为碱金属离子 Li+、 Na+、 K+中的一种或几种； MIII为稀土离子 La3+、 Ce3+、 Pr3+、 Sm3+、 Gd3+、 Y3+、 Tb3+、 Dy3+中的一种或两种； MVI为 Mo6+、 W6+中的一种或两种； RIII为 La3+、 Ce3+、 Pr3+、 Sm3+、 Gd3+、 Y3+、 Tb3+、 Bi3+中的一种；x、y为相应掺杂 离子相对MIII离子所占的摩尔百 分比系数，0.0＝x＝1.0，0.0≤y≤0.20。本发明的稀土红色发 光荧光粉采用高温固相法制备。本发明的稀土红色荧光粉在 400nm左右有很强的激发，发光效率高，稳定性好；以618nm 的红光发射为主，红光发射的色纯度很好。 | ||
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