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Rare earth metal complex material for thin film formation and process of forming thin film 发明申请

2023-09-29 3930 653K 0

专利信息

申请日期 2025-07-07 申请号 US10568611
公开(公告)号 US20060275545A1 公开(公告)日 2006-12-07
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 Atsuya YOSHINAKA; Hiroki Sato; Ryusaku Fujimoto
简介 A tris(sec-butylcyclopentadienyl) complex of a rare earth metal represented by general formula (I). The complex is excellent in heat resistance and volatility and is liquid, which is advantageous for use as a thin film forming material. wherein M is a rare earth metal atom.


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