| 申请日期 | 2025-06-27 | 申请号 | CN200480029064.9 |
| 公开（公告）号 | CN1864268A | 公开（公告）日 | 2006-11-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 埃皮泰克帝斯克有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供了一种用于高性能异质结双极晶体 管的方法和结构，该晶体管适用于化合物半导体系统(例如砷化 镓(GaAs))，并且该晶体管利用了由多个金属层和多个超薄绝缘 层形成的发射结。所选择的金属层具有功函数，当沉积在超薄 绝缘层之上时，形成了隧道式金属－绝缘体－半导体结。该绝 缘层可以由稀土氧化物(例如氧化钆 (Gd2O3))制成，其在化合物半导体基板上外延地生长，并且可覆 盖有第二超薄绝缘层。 | ||
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