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Method and apparatus for growth of single-crystal rare-earth oxides, nitrides, and phosphides 发明授权

2022-12-27 2310 1597K 0

专利信息

申请日期 2025-06-27 申请号 US10746957
公开(公告)号 US7135699B1 公开(公告)日 2006-11-14
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 Petar B Atanackovic
简介 Structure and method for growing crystalline superlattice rare earth oxides, rare earth nitrides and rare earth phosphides and ternary rare-earth compounds are disclosed. The structure includes a superlattice having a plurality of layers that forming a plurality of repeating units. At least one the layers in the repeating unit is an active layer with at least one species of rare earth ion.


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