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Silicon oxynitride passivated rare earth activated thioaluminate phosphors for electroluminescent di 发明授权

2023-03-19 3380 660K 0

专利信息

申请日期 2025-07-14 申请号 US10661910
公开(公告)号 US7129633B2 公开(公告)日 2006-10-31
公开国别 US 申请人省市代码 全国
申请人 Alexander Kosyachkov
简介 A novel structure is provided to improve the operating stability of thioaluminate based phosphors used in ac thick film dielectric electroluminescent displays. The novel structure comprises a rare earth activated alkaline earth thioaluminate phosphor thin film layer and a silicon oxynitride layer provided directly adjacent the top and/or bottom of the phosphor thin film layer, wherein said silicon oxynitride layer comprises a composition of Si3NxOyHz where 2≦x≦4, 0


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