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GALLATE SINGLE CRYSTAL, PROCESS FOR PRODUCING THE SAME, PIEZOELECTRIC DEVICE FOR HIGH-TEMPERATURE 发明申请

2023-08-13 2520 3610K 0

专利信息

申请日期 2025-09-10 申请号 WOJP06306744
公开(公告)号 WO2006106875A1 公开(公告)日 2006-10-12
公开国别 WO 申请人省市代码 全国
申请人 FUKUDA CRYSTAL LABORATORY; FUKUDA Tsuguo; YOSHIKAWA Akira; SATO Hiroki
简介 A material for high-temperature region piezoelectric device that can be used at a high temperature zone exceeding 400˚C, having a resistivity whose temperature dependence is slight. The material is characterized by having a composition selected from the group consisting of RE3Ga5-xAlxSiO14 (wherein RE represents a rare earth, and 0


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